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H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel

Bescheinigung
CHINA HUATEC  GROUP  CORPORATION zertifizierungen
CHINA HUATEC  GROUP  CORPORATION zertifizierungen
Kunden-Berichte
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H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel

H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel
H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel

Großes Bild :  H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: HUATEC
Zertifizierung: CE
Modellnummer: H3543HWF-AG
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Prozent
Verpackung Informationen: Kartonverpackung
Lieferzeit: 10-15 Werktage nach Eingang Ihrer Zahlung
Zahlungsbedingungen: T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5sets/month

H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel

Beschreibung
Aktivbereich: 350 x 430 mm Pixelpitch: 139 μm
Entschließung: 2560 x 3072 Energiebereich: 40-350 kV
Dynamikwerte: ≥84 dB
Hervorheben:

Gekrümmtes DR-Panel

,

A-Si gekrümmtes DR-Panel

,

Amorphes Silikon-Gekrümmtes DR-Panel

H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si Curved DR Panel

 

Sensor
Rezeptortyp a-Si

Szintillator Gos

Aktive Fläche350 x 430 mm

Auflösung 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Elektrik und Schnittstelle
A/D-Wandlung 16 Bit

Datenschnittstelle Gigabit Ethernet/802.11ac (nur 5G)

Erfassungszeit kabelgebunden: 1s; kabellos: 3s

Belichtungssteuerung Software/Sync
Speicher 4 GB DDR4, 8 GB SD-Karte


Mechanisch
Abmessungen 583x437x21.8mm
Gewicht 4,5 kg (ohne Akku)

Material Aluminium- und Magnesiumlegierungen

Frontplatte Kohlefaser

 

 

Umgebung

Temperatur 10-35°C (Betrieb);-10~50°C (Lagerung)

Feuchtigkeit 30-70% RH (nicht kondensierend)

Schutzart IP54 (angepasst auf IP67)

 

Stromversorgung & Akku

Adapter Eingang AC 100-240V,50-60Hz

Adapter Ausgang DC 24V,2.7A

Leistungsaufnahme<20 W

Standby-Zeit 6,5 h

Ladezeit 4,5 h

 

Bildqualität
Auflösungsbegrenzung 3,5 LP/mm

Energiebereich 40-350 KV

Dynamikbereich≥84 dB

Empfindlichkeit ≥0,54 LSB/nGy

Geisterbilder<1% 1. Bild

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @(2 LP/mm)

MTF 68% @(1 LP/mm)

38% @(2 LP/mm)

20% @(3 LP/mm)

H3543HWF-AG 139μm Amorphes Silizium A-Si gekrümmtes DR-Panel 0

Kontaktdaten
HUATEC GROUP CORPORATION

Ansprechpartner: Ms. Shifen Yuan

Telefon: 8610 82921131,8618610328618

Faxen: 86-10-82916893

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